optele 发表于 2004-4-21 03:51:00

关于蒸硅的工艺问题

<P>有哪位大虾对蒸Si的工艺比较了解啊？比如蒸硅时的最大速率，以及对应的温度。</P>
<P>是不是蒸硅速率比较高，而且基片温度也比较高时速率很不容易控制啊？另外，当坩埚比较大时，得到比较稳定的沉积速率是不是更容易一些啊？</P>
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