qhbd 发表于 2004-6-8 01:37:00

有谁帮忙介绍几种介质薄膜

<P>有谁帮忙介绍几种介质薄膜，耐压性能大于0.15v/nm 介电常数大于8，谢谢。</P>

ic5 发表于 2004-6-8 17:44:00

<P>耐压性能、介电常数这些参数我们没有测量过，不过在红外区的许多薄膜都是介质膜。你是搞薄膜研究的吧，这些东西我们没有测量过，所以帮不到您！</P><P>请问你是想用在什么方面？</P>

coatingli 发表于 2004-6-8 18:00:00

<P>掺氟SiO2介电常数值可以达到3.5</P><P>用溶胶法形成的多孔薄膜介电常数到2.2</P>

qhbd 发表于 2004-6-8 22:39:00

<P>谢谢IC5，我想用在一种薄膜耐压器件上，属于薄膜场发射。还用帮助吗？</P>

ic5 发表于 2004-6-9 00:15:00

<P><b><FONT color=#000066>Tqhbd</FONT></b></P><P><b><FONT color=#000066>鄙人才疏学浅,没有接触这样的薄膜,我也帮你打听一下吧,有消息在这里在告诉你!</FONT></b></P>

coatingli 发表于 2004-6-9 00:36:00

<P><img src="http://www.ndl.gov.tw/ndlcomm/P7_1/7_1/P07.gif"></P><P><img src="http://www.ndl.gov.tw/ndlcomm/P7_1/7_1/P08.gif"></P>

qhbd 发表于 2004-6-9 01:37:00

<P>谢谢coatingli， 我通过电子束、溅射做出的薄膜与文献差很多，能帮帮分析一下吗</P><P>1、五氧化二钽溅射MIM结构最多做到0.1v/nm 与文献的0.25v/nm相差很大，电子束蒸发的结果MIM结构直接短路。各种条件下几乎都试过。</P><P>2、三氧化二铝电子束蒸发的MIM结构耐压只有0.2v/nm与文献的0.4~0.6v/nm相差也是惊人。几乎各种条件都试过。</P><P>各位专家帮忙分析一下，不胜感激！！！</P>

coatingli 发表于 2004-6-9 02:06:00

<P>试试在后工序中延长高温回火时间，并用O离子源轰击膜层。</P>

coatingli 发表于 2004-6-9 02:09:00

最好用反应溅射的方式镀膜，可以用VEECO设备试试
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