likeoe 发表于 2011-12-14 23:30 static/image/common/back.gif
沉积速率快，分子动能不会增加，应该是单位时间内的沉积分子数增加了。
我只是照书直搬，微观的分析我并不在行，不过速率过快过慢肯定都不好这个结论却是显而易见的。。{:6_141:}
那我镀膜时，MgF2我存有两种数据，4A/S和8A/S,平时都是4A/S，但是最近不知道怎么搞的，镀膜时出现maximum power （功率最大）导致电流及速率一直升不起来，无法进行蒸镀，改用8A/S才可以！为什么
最近SiO2又出现这种情况，我真的郁闷了，我狂改最大功率才可以，但这也不是办法啊，谁能够告诉我为什么会出现这种情况！
其实这里面有很多问题：
1、增加速率是通过离子助镀还是加大蒸发电流？（这两者有很大区别，加大电流膜材也会增加分解的量，有部分被分解的气体是不参与反应的）。
2、不同的速率会有不同的结晶形态，而不同的晶体形态其稳定性也是不一样的。
3、速率过大，会有更大的机械撞击。（会将原本镀在基材又打松掉）
likeoe 发表于 2011-12-14 23:30 static/image/common/back.gif
沉积速率快，分子动能不会增加，应该是单位时间内的沉积分子数增加了。
用猛火烧开水与用温火烧开水，所生产的蒸汽量(单位时间内)是不同的，但水蒸汽的动能并不因为猛火而增大，就这个道理。
yibi11 发表于 2011-12-1 17:05 static/image/common/back.gif
速率要合适，太快太慢对牢固度都有影响。两个方面来说这个问题，一般来说，基地与膜料能形成化合键，则牢固 ...
也有点道理
蒸发速率的大小，直接影响到膜层的沉积速率。沉积速率对膜层的结构与厚度分布都有很大的影响。当沉积速率慢时，临界核少，生长慢，吸附原子在平均滞留时间内，能充分地沿表面移动。在适于生长的位置上，形成岛状结构，并捕捉飞来的分子，原子再继续生长成膜。这些膜的颗粒大，空隙较多。当沉积速率过快时，临界核多，很快地普遍生长成颗粒。但颗粒不大，平均厚度转薄时，颗粒就连接成致密的薄膜。
抄于光学薄膜技术，
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我觉得只做这么个实验有点片面，毕竟影响的因素太多了
学习了{:6_143:}
就MGF2而言，应该还是快点牢此!
学习
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