Nd:Gdvo4晶体采用870NM的LED进行泵蒲是否可以出1064的LASER??
<P>Nd:Gdvo4晶体采用870NM的LED进行泵蒲是否可以出1064的LASER?? </P><P> 我准备采用LED870-66-60的管子进行泵蒲这种管子的功率是1600MW的红外线输出。直接照射Nd:Gdvo4晶体。它的带宽是40NM。封装形式:TO-66</P> <P>As long as the crystal has good absorption at 870 and the laser emission line is at 1064nm, you can get lasing.</P><P>Check the spectrum curve of the crystal.</P> 好的。我看一看这块晶体的吸收谱线!!谢谢!!!! <P>我没查到相关资料呀!!!!!!!!!!!!!!!!!!!</P> <P>Nd :GdVO4 晶体的吸收谱和荧光谱表明,晶体在808. 5 nm 有吸收峰,其发射波长912. 6nm ,1 063. 1 nm和1 341. 3 nm. 晶体中掺Nd 浓度为1. 56 at %Nd :GdVO4 的4F3/ 2荧光寿命为100μs. 用3 W激光二极管(LD) 泵浦1 mm 厚的Nd : GdVO4 晶体,得到了1. 72 W、1 063 nm 和800mW、1 341 nm的输出光.</P>
<P>电阻,详细资料有篇论文已经发你邮箱,请查收:)刚看到可以上传,已经传了:)</P>
<P>没听说Nd的吸收峰在870nm</P> <P>http://www.roithner-laser.com/Pictures/TO-66_LEDs_03_press.jpg</P><P>其中:LED810-66-60的参数:Electro-Optical Characteristics
Item Symbol Condition Minimum Typical Maximum Unit
Total Radiated Power PO IF=600mA 1000 mW
Total Radiated Power PO IF=3A 4000 mW
Radiant Intensity IE IF=600mA 450 mW/sr
Forward Voltage VF IF=600mA 9.0 V
Reverse Current VR IR=10uA 50 V
Peak Wavelength lP IF=600mA 810 nm
Half Width Dl IF=600mA 30 nm
Viewing Half Angle Q1/2 IF=600mA ±60 deg.
Rise Time tr IF=600mA 100 ns
Fall Time tf IF=600mA 100 ns
‡ Heat sink is required thermal resistance 8K/W
1) High reliability
2) Compact (TO-66) package
3) High output power at 810nm</P><P>这种管子也许可以吧,但是这种东东在澳大利亚呀!太遥远啦!!!!!!!!</P> 电阻兄说的“870nm的LED进行泵蒲”是不是应该是“870nm的LD”阿?我好像没有听说过LED能做激光晶体的泵浦源的。 <P 0in 0in 0pt; mso-layout-grid-align: none"><FONT size=3><FONT face="Times New Roman">说得对。 LED 是不能作甭浦的, 因为它的发散角太大, 就象<p></p></FONT></FONT></P><FONT face="Times New Roman">灯泡一样。 另外即使是LD也要确认有吸收才行</FONT> 电阻兄,看资料这种LED是列阵封装,同时半宽30nm,用它来当泵源不合适. <P>一般来说这种晶体的发射谱线在1062nm左右,呵呵</P><P>不知道楼主是不是哈工大的同行,呵呵</P> Nd的吸收峰值在808.9~809nm之间
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