michaelzhj 发表于 2004-9-24 22:16:00

硅基片表面氧含量太高，请问如何除去啊?

硅基片表面氧含量太高，请问如何除去啊?还望不吝赐教！

michaelzhj 发表于 2004-9-25 00:02:00

<P>我用5％的HF酸浸泡10分钟，作出来的试样竟然含有4.3％的F</P><P>如果只用丙酮和酒精，里面含的氧将近50％（我不需要任何氧），大家说说，咋会事，又该咋办？</P>

heyanch 发表于 2004-9-28 00:34:00

<P>做什么?</P>

heyanch 发表于 2004-9-28 00:34:00

镀膜?

wish 发表于 2004-9-28 18:01:00

Si易氧化，在大气中很难保证没有氧的。用HF清洗应该是一个比较好的方法。如果可以在真空室中，可以用离子轰击一下

gb936 发表于 2004-9-28 20:48:00

考虑用等离子清洗

michaelzhj 发表于 2004-10-11 04:02:00

是镀膜，我是先把Si片清洗一下，然后放入真空室内，抽真空，开始镀膜。但，总是会有F元素，我用的是溅射镀膜，真空室内没有等离子体清洗（轰击）的功能，还有没有别的方法？

zz 发表于 2004-10-13 23:04:00

SI在空气中易氧化？谁可证明。

fulong927 发表于 2004-10-14 00:56:00

<TABLE cellPadding=4 cellSpacing=0 width="100%"><TR><TD vAlign=center width=* glow(color='#cccccc,strength=2)"'><P>请问 <FONT color=#0000ff><B>michaelzhj</B></FONT> ，</P><P>4。3％的F是如何测出来的？</P></TD></TR></TABLE>

zz 发表于 2004-10-15 01:35:00

还用问，就用LAMBDA测的

michaelzhj 发表于 2004-10-15 04:53:00

用XPS测出来的

nanovac1 发表于 2004-10-18 15:39:00

<P>上海纳微真空公司销售俄罗斯RF离子源（Kaufman型），Hall离子源，阳极层离子源，价格优惠。</P><P>我们还销售德国最新ICP离子源（也是RF离子源内），面积可达1平方米以上。特别适用于高等级光学镀膜。</P><P><FONT size=3>上海纳微真空技术有限公司 </P>
</FONT><p><P 0pt? 0in><FONT size=3>电话：<FONT face="Times New Roman">021-27977643 </FONT>（宓小姐）</FONT><FONT size=3>传真：<FONT face="Times New Roman">021-56333068 <p></FONT></FONT><p><P 0pt? 0in><FONT size=3><FONT face="Times New Roman">www.nanovac.com.cn <p></FONT></FONT><p><P 0pt? 0in><FONT size=3><FONT face="Times New Roman">sales@nanovac.com.cn</FONT></FONT></P>
页: [1]
查看完整版本: 硅基片表面氧含量太高，请问如何除去啊?