低温超导太赫兹探测器
低温超导太赫兹探测器低温超导太赫兹探测器彻底颠覆传统雪崩光电二极管（APD），将单光子探测准确率和速度大幅提高，传统雪崩光电二极管（APD）作为单光子探测元件已越来越无法满足研究需要。
InGaAs APD单光子计数器与超导单光子计数器性能对比表如下“
铟镓砷APD与超导探测器性能对比
性能指标 铟镓砷APD 超导纳米线探测器
光谱响应 900-1700nm 600-1700nm
量子效率 up to 25% up to 25%
死时间 ≥1000ns（后脉冲时间决定） ≤2ns（电路响应决定）
触发频率 Up to 100MHz ≥500MHz
实际计数率 ≤1MHz ≥500MHz
暗计数（25%量子效率下） ≥10000cps ≤10cps
暗计数（15%量子效率下） ≥6000cps ≤1cps
暗计数（10%量子效率下） ≥5000cps <<1cps
时间抖动(timing jitter) ≥250ps ≤25ps
工作温度 300K 2K
工作模式 门模式 自由模式
后脉冲(after pulse) < 5% at 1MHz@10ns gate and 10% QE 无后脉冲
后脉冲（死时间） 和频率的关随触发频率上升而上升 无关
后脉冲（死时间） 和量子效率（QE）的关系随量子效率增大而增大 无关
后脉冲（死时间） 和门宽的关系 随门宽增大而增大 无关
时间抖动和量子效率的关系 随量子效率增大而增大 无关
信噪比与门宽关系 随门宽下降而下降 无关
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