optic rising time?
看国外的电光Q参数上有optic rising time, 经常是<1ns,是什么意思? 我想不会是光脉冲或者电脉冲的上升时间吧?是不是晶体的响应时间? 我也想了解，哪位大侠愿意答疑？ 学习学习只能学习。谢谢你们的讨论。
理解正确！基本就是这个意思。 这个时间是晶体对于电的响应时间,也就是可以在这个时间内进行状态的转换,如果电压在理想状态下,瞬间高低压转换,晶体可以在这个时间里完成状态的转换,具体脉冲宽度可以由驱动给出的电脉冲宽度来决定,但是实际上,驱动器的高压放电的开关器件本身也有限制,高低电压的上升或者下降沿时间不会小于4ns,所以这个1ns,仍然只是一个理论时间,因为不能具体的确定是在电压的上升/下降沿这个时间内的哪一个具体的点,发生晶体状态变化的的这个沿.
另外,由于驱动器的电路现在有几种不同的方式来实现,不管是升压或者降压方式,每一种能够给出的脉冲宽度的限制也都有所不同,如果需要给出一个完全的脉冲,宽度实际上不会小于8ns,但是这个脉冲宽度和最终激光的脉冲宽度也并不是相同的.
哈哈
哈哈,长见识, 何必有我, 不愧高手啊! 以下是引用neoyes1101在2005-7-25 12:43:00的发言：哈哈,长见识, 何必有我, 不愧高手啊! 上面写的只是在我自己使用中间的感受,我自己也做过电光Q的驱动电源,但是我自己本来并不是学习激光出身的,只是以前曾经在做这个驱动的时候为了测量电光Q的脉宽做过一些实验,对激光脉冲和电脉冲的关系有着这样直观的印象,如果有不对的地方,请大家直接指教就是,在这里对我自己来说本来也是向各位兄弟学习的过程. 也不怕笑话,我就说说我的想法的由来我是学电的,电光晶体在电路上来说,就是一个很小的微微法级的电容,那么这样的情况下,上升时间是不是能够理解为充电到半波电压所需要的时间呢.
从电的器件上来说,目前我在国内能够用到的一般的开关器件也受到这个的限制,所以实际上的充放电时间,远远大于这个时间.
光学手册上也有这样的话,除了在光学折射率和微波折射率相匹配的行波构形的调制器结构外,最大频率位于器件电容(也就是晶体长度)的上限.已经装成的行波调制器,响应扩展到了1吉赫兹,电容调制器可能也有一个类似的带宽,一般说来,过渡时间或介质加热会影响到带宽的上限,大多数情况下,系统的带宽受驱动放大器的限制甚至超过调制器的本身.
这个就是我自己在使用中产生的理解,不知道是不是能够这样理解.也希望大家能够指正.
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回自己一个帖,晶体本身有一个性质,就是电光效应的产生需要一个响应时间, 记忆中例如LN就是大概1ns, 也就是电压即使是理想的方波,晶体也要一个时间响应才行.我就是不知道是不是指这个. 那我的理解错在什么地方呢 嘿嘿，今天晚上看自己手里的产品资料，发现自己的一个错误http://bbs.oecr.com/dispbbs.asp?boardID=7&ID=37246&page=1
都没注意到自己代理的产品中还有这样一个电光Q的端面泵浦的激光器
单脉冲能量1.5mj,脉宽1.5ns，重复频率1kHz
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