huafei920 发表于 2005-11-20 12:49:00

紧急求助！！！！！

我在做实验过程中发现如下现象： 扩散后硅片的少子寿命还比较正常的，有的时候氧化后的少子寿命只有扩散后的一半，有的时候差不多，有的时候比扩散后还要高，请问这是什么原因？？？？谢谢！
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