hanxing 发表于 2006-9-18 18:58:00

Ta2O5薄膜的溅射（求助）

<p>我是个新手，请大家帮忙。谢谢！</p><p>我用直流磁控反应溅射的方法制备Ta2O5薄膜，Ar：O2=4：1，在1.0Pa时起辉，电流、电压可以分别控制在</p><p>0.15A、500V；当降低气压至0.6Pa开始制膜，电压就会超过1000V（超过了量程），电流降到0.05A以下，而且得到</p><p>薄膜平整度较低（300nm，RMS=1.2nm）。</p><p>以前设备状态好的时候，在0.6Pa的气压下，电流、电压可以分别控制在0.15A、700V，薄膜平整度较好（300nm，</p><p>RMS=0.3nm）。</p><p>这种问题怎样解决阿？</p><p></p>

zzzz 发表于 2006-9-19 16:16:00

<p>工艺参数是否被改动了?</p><p>设备是否处于正常状态?</p>

dinghaiyi 发表于 2006-9-21 22:34:00

<p>应该用射频溅射比较好吧</p>

acer_wu 发表于 2006-9-28 07:54:00

<p>你用的什么型号，那个公司的机器啊，资料过来看看。镀的什么东东。我开看看，在给你答案。e-mail:acer_wu@hotmail.com.</p>

caodahua 发表于 2006-12-8 23:45:00

<p>hanxing,我可以通你交流吗?我的MSN:caodahua@hotmail.com;QQ:36496431</p>
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