跟掺杂没什么太大的关系,主要与有源区里阱层与垒层的晶格匹配有关,
阱层与垒层是张应变的是TM模,阱层与垒层是压应变的是TE模。
对于半导体激光器:
一般来讲,偏振方向指的是电场的振动平面。对于激光二极管,电场的振动方向平行于LD的有源层(active layer)的称为TE模(横电场或p偏振模),而电场振动方向垂直于有源层的称为TM模(横磁场或s偏振模)。LD之所以具有不同的偏振态是跟LD的半导体有源层的掺杂成分相关的,不同的掺杂成分导致有源层的偏振光谱不同,即不同的偏振态具有不同的发射截面,因而阈值差异较大。对一个椭圆光束激光二极管,其偏振方向一般平行于短轴。
以上可以参考一下~~
可以买个设备测试下偏正消光比
39# 啊试
TE模(p偏振模),TM模(s偏振模)?我看到有些人怎么说"TE模(s偏振),TM模(p偏振)"
这个问题,我还是有点发言权的!估计你们用的晶体都的经过我的抽测后,才能收到哦!哈哈
YVO4有偏振吸收,LD光束发散较小的方向是偏振方向,不信可用偏振棱镜测一下。偏振方向跟C轴平行吸收最大,出光功率最高!
xbdxwm 发表于 2007-6-2 15:27 static/image/common/back.gif
虽然情况比较少,但有些LD和你说的方向是相反的。
39# 啊试
TE模(p偏振模),TM模(s偏振模)?我看到有些人怎么说"TE模(s偏振),TM模(p偏振)"
majianjun 发表于 2009-5-12 09:05 static/image/common/back.gif
关于TE和TM偏振, #31, #38 和#39 已经作了较好的论述。 至于S偏振还是P偏振, 这是一个相对的概念, 取决于检偏器的取向。 如果保持光的偏振方向不变, 而把偏振片的法面由水平方向转成垂直, S偏振就变成P偏振了(反之则反), 所以你看到有人说S, 有人说P也就不足为怪了。
主要是做激光器的材料不同引起的偏振方向不同。
关于TE,TM与S,P光的对应关系我也没搞清楚,希望有更多人解释,谢谢了。
这个问题,我还是有点发言权的!估计你们用的晶体都的经过我的抽测后,才能收到哦!哈哈
YVO4有偏振吸收 ...
xbdxwm 发表于 2007-6-2 15:27 static/image/common/back.gif
对,我测试过!LD具有高偏振性,偏振方向与发光芯片的长轴方向平行。
回复 37# 再也不能这样
是,这就是为什么Nd:YVO4用在 低功率,而YAG多用于高功率的原因!
好 帖, 学 习 了!!!
此贴相当值得一顶!
好