marcsle
发表于 2007-10-6 19:46:52
我做IRCUT用AL2O3打底，然后H TI3O5,L SIO2组合，无离子源！35层，280摄氏度高温！
snty
发表于 2007-10-8 12:39:03
离子源参数不对，吸收太强所致
fasces9
发表于 2011-7-30 15:59:39
marcsle 发表于 2007-10-6 19:46 static/image/common/back.gif
我做IRCUT用AL2O3打底，然后H TI3O5,L SIO2组合，无离子源！35层，280摄氏度高温！
用280摄氏度高温吗？
我司用250摄氏度
逐梦者
发表于 2011-8-30 19:52:01
{:6_151:}研究一下，我是新手
逐梦者
发表于 2011-8-30 19:55:04
我建议下次有这样的问题，最好是插入图片，不要以附件的形式，麻烦！{:6_150:}
wangxudong1227
发表于 2011-8-31 00:16:12
为什么第一层用氧化铝呀？
为了增加膜层牢固度？还是为了在尽量少的膜层下镀出要求的曲线呢？
ghtzna
发表于 2011-8-31 08:38:01
这个不同的机台TOOLING 是不一样的 还有就是工艺参数也是不同的 所以还是要靠自己
wdydede
发表于 2012-6-10 20:36:26
弱弱地问一下：为什么要用AL2O3打底？先谢谢！
其实从设计上，AL2O3不起作用？