再也不能这样 发表于 2009-1-22 10:55:00

原因;
(1)KD*P晶体的光轴和光束没有对好,这一步需要仔细调整.
采用锥光干涉调整比较好,如果腔比较小的话就不能用此方法了,
(2)KD*P晶体晶体的消光稍微会有些影响, 要做到完全消光是不可能的,用BBO的话会好一些
...
85667542 发表于 2009-1-22 10:36 static/image/common/back.gif

来仰视一下85667542。。。。。。。。。。

ciom1221 发表于 2009-1-22 14:54:14

很可能是电光晶体的问题,另外千千赫兹工作时也是KD*P的极限,会产生弹光效应

cust666 发表于 2009-1-23 00:11:46

如果是退压结构，可以检查调q电源的关门电压，在1khz工作时的关门电压是多少，恐怕电源不能提供足电压。
以前我做过这个高频电光调q，KDP在1k下是没有问题的。

cust666 发表于 2009-1-23 00:16:08

其实晶体都会有光弹效应的，只是不同晶体有不同的光弹大小而已。
合理的设置调Q电源的接线方法，在一定程度上可以大大降低一些光
弹效应比较大的晶体的光弹效应问题，比如铌酸锂晶体的。

wilson123456789 发表于 2009-2-11 14:05:51

原因;
(1)KD*P晶体的光轴和光束没有对好,这一步需要仔细调整.
采用锥光干涉调整比较好,如果腔比较小的话就不能用此方法了,
(2)KD*P晶体晶体的消光稍微会有些影响, 要做到完全消光是不可能的,用BBO的话会好一些
(3)腔内其他元件的配合
   如果是退压式应用的话一般比较好调, 升压式的话1/4波片就对消光影响了,如果波片的延迟精度不高,或者本身消光比就不好的话,就会影响消光了.
(4)KD*P 1000HZ应该还不成问题.如果更大的话就要用BBO了..

以上是本人粗略看法,希望有所帮组。
如有有其他问题,也可以来找我...
说的挺专业的 ！顶。。。。。。

ttphead 发表于 2009-2-11 14:27:58

呵呵，都听专业的，学习哈
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查看完整版本: 为什么电光调Q开光老是漏光？为什么“锁光”老是“锁”不住？