zhuhongyu76 发表于 2009-6-14 14:57:32

APD的最佳工作电压问题

APD作为常用的高速高灵敏度的探测器件，但是其最佳工作电压直接影响到光模块重要指标，同时也影响到产品的可靠性，希望各位能够说说都碰到过那些失效现象？

zhuhongyu76 发表于 2009-7-15 13:01:09

没有读者自己顶一下：
结电容和本征吸收区的厚度直接影响到器件的工作速率和灵敏度。

yl65 发表于 2009-7-28 15:41:49

电压过大，容易造成管芯击穿！

zhuhongyu76 发表于 2009-9-29 12:59:10

在论坛里面能够正确应用的应该不多，包括我自己。

gengling 发表于 2009-10-7 14:42:28

不会，真不会。。。

dypein 发表于 2009-10-8 13:32:05

结电容和本征吸收区的厚度直接影响到器件的工作速率和灵敏度。
但是有源区厚度过小,电流倍增会降低,.
我是学理论的,还没有实践.

sysrq 发表于 2009-10-24 16:03:17

both of you are master on this

wu5700 发表于 2009-10-28 10:18:15

主要還是溫度對逆偏(Vb)(reverse breakdown   voltage)影響這問題比較嚴重
不然一般我們使用APD其工作電壓(workingvoltage)會在於靠近max逆偏(Vb)
getmax   gain(M) ------- multiplicationfactor
如果你要是 max. M-------------controlyourreversevoltage (MAX)
Becarefulwithburningyourapd

V3765TU 发表于 2009-10-28 22:34:51

本帖最后由 V3765TU 于 2009-10-28 22:39 编辑

做一个微电流的放大电路，用于监控APD上的电流是否过大。
输出的模拟电压用于控制反偏高压。

光看信号是不行的，电压过高和过低时都会没有信号。
监控好的管子不会有问题。我给APD加的高压就是监控的，目前我还没有碰到过失效的APD。

我手上有几片PerkinElmer厂家测过的C30737系列APD。7086991@163.com

zhuhongyu76 发表于 2009-12-12 22:41:05

8楼的兄弟说的很对，一般我们通过测试击穿电压来确定给APD家多大的电压，但是每个厂家所给的击穿电压的测试方法是有区别的，比如有的公司采用M=10作为击穿电压，有的公司采用M=100作为击穿电压，这是我们在选用的时候就会出现误区，我们到底该怎样应用这个管子，所以一般我们使用的时候采用M=10的器件一般采用95%击穿电压值，对于M=100的器件，我们加90%的击穿电压。
    所有的探测器都是依靠电场将入射光产生的电子空穴对移向两个电极的，所加的电压对应的电场强度，因此高压能够提高本征区的厚度，但是能够降低结电容，因此要通过仿真和计算哪一点最恰当，同时提高高压能够显著的提高有源区的电场强度，增加倍增效率，但是APD承受的电流是有限的，一般不超过3mA，所以要保证整个APD的所有的光功率下都不超过这个电流值，同时电压太低器件又会出现饱和问题，因此要恰当的选取串联保护电阻和温度补偿电阻，避免上述的两种问题发生。

bcw_1985 发表于 2009-12-16 14:00:41

楼上的分析的比较详细 ！

zhdreamweaver 发表于 2010-4-15 14:07:21

电压过大，容易造成管芯击穿。。。。。。。。。。。。。。
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