CMOS硅纳米光子技术今年可商用

这个夏天

IBM声称，从2011年起，硅芯片将迈向以光脉冲而非电荷来进行沟通。该公司于12月1日在日本举行的Semicon Japan展会上，透露了其CMOS集成硅纳米光子(CMOS Integrated Silicon Nanophotonics，CISN)技术的细节。

在该展会上，IBM预言硅纳米光子将是实现未来“exascale”等级处理器的推手，可能达到每秒1018次运作的水平。“IBM目前正在开发的CMOS硅纳米光子技术，可通过扩大每颗芯片的收发器带宽与集成密度来满足exascale系统的需求。”参与CISN研发项目的IBM研究人员Will Green表示。

如果将电到光(electrical-to-optical)与光到电(optical-to-electrical)收发器集成到传统CMOS芯片上，这种硅光子被看好能突破目前开发exascale等级运算平台的瓶颈。IBM声称，其CISN技术已经解决了相关问题，目前也已开始授权给合作伙伴，并可望在2011年看到采用该技术的商用收发器。

自2005年起，IBM研究中心已经收集了建构完整CMOS光学链接生态系统所需的光学组件，能让电子芯片通过光学互连、取代铜导线与总线进行沟通；到目前为止，IBM已经展示了以CMOS工艺制造的光学调制器、光波导、波分复用器、光开关与探测器。

至于仅剩的一个组件硅发射器，IBM也通过添加纳米管的方法成功进行了演示。只不过预计今年问世的IBM集成硅光子器件，仍将采用以传统三五族(III-V)半导体材料制成的发射器。最近IBM为CISN技术扫除的一大障碍，是将一层锗层(germanium layer)埋在CMOS堆栈底部。

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