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[讨论]面电阻 与 电导率 之间的关系 (无内容)

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发表于 2004-3-19 17:38:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
发表于 2004-3-19 18:06:00 | 显示全部楼层

[讨论]面电阻 与 电导率 之间的关系 (无内容)

ρ=m*/ne2τ
n、τ分别表示载流子浓度和载流子迁移率。当n、τ越大,薄膜的电阻率(ρ)就越小,反之亦然。而载流子浓度(n)与ITO薄膜材料的组成有关,即组成ITO薄膜本身的锡含量和氧含量有关,为了得到较高的载流子浓度(n)可以通过调节ITO沉积材料的锡含量和氧含量来实现&#59;而载流子迁移率(τ)则与ITO薄膜的结晶状态、晶体结构和薄膜的缺陷密度有关, 为了得到较高的载流子迁移率(τ)可以合理的调节薄膜沉积时的沉积温度、溅射电压和成膜的条件等因素。
所以与面电阻没有直接关系。
但是同样的膜厚做的面电阻越低,那么电阻率也就越低,这是一定的,因为:
R□=ρ/ d
 楼主| 发表于 2004-3-20 17:34:00 | 显示全部楼层

[讨论]面电阻 与 电导率 之间的关系 (无内容)

[这个贴子最后由slyz在 2004/03/21 08:20pm 第 1 次编辑]

3x

r=p/d
应该是有关系????
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