关于蒸发速率的问题

hgw2001 · 发表于 2003-7-1 18:24:00

[20]蒸气蒸发速率
  由于从坩锅到基片距离很大通常为500-800mm，为使膜料原子与残余气体碰撞反应的机率降到最低，必须尽快蒸镀膜料。总而言之高的蒸发速率将产生低的表面电阻和高反射率膜膜层。膜料凝结到基片过程中基片将由凝结膜而升温。在镀铝过程中由蒸发速率所凝结散热可使基片温度升高达200度或者在si片上达到更高温度。
可通过好种手段决定蒸发速率。最关键是所有工艺参数，如电子枪输出功率、聚焦程度、基片位置，旋转转转速（如果有使用旋转装置）和镀制时间必须保持不变。
  真空室内残余气体将影响膜层的质量。电阻/反射率/透过率的性能本质上由残余气体决定。这是由残余气体与蒸镀的原子结合成新的分子代替纯净的膜料分子/因此大多情况下对膜料时进行充氧使之氧化。
  氧化起到金属膜的电阻增加和导致反射性能的变化。在光学性能方面，如减反膜，氧气的氧化能力在反应方面得到应用。氧气不仅来自空气而且也可来自电子束轰击时水分子的分解，因此在蒸镀之前须尽可能低的真空度是很有必要的。要镀制高质量的膜层，蒸镀之前真空度应小于5X10的负6次方mbar，真空室内出现或释放出的水气是很难被抽走。这时真人室内一半以上残余气体是水气。它引起长时间抽真空。用冷阱或冷凝板可迅速从真空室内抽走水气。
  冷凝板是一些金属薄片在它们上面有液氮冷却，从而表面温度约-160度从而使水分子冷凝。为了尽快从真空室壁或其它部件上把水气排走，要求真空室能过流在泠却水管里的热水加热。

hgw2001 · 发表于 2003-7-5 01:31:00

蒸气蒸发速率
  由于从坩锅到基片距离很大通常为500-800mm，为使膜料原子与残余气体碰撞反应的机率降到最低，必须尽快蒸镀膜料。总而言之高的蒸发速率将产生低的表面电阻和高反射率膜膜层。膜料凝结到基片过程中基片将由凝结膜而升温。在镀铝过程中由蒸发速率所凝结散热可使基片温度升高达200度或者在si片上达到更高温度。
可通过好种手段决定蒸发速率。最关键是所有工艺参数，如电子枪输出功率、聚焦程度、基片位置，旋转转转速（如果有使用旋转装置）和镀制时间必须保持不变。
真空室内残余气体将影响膜层的质量。电阻/反射率/透过率的性能本质上由残余气体决定。这是由残余气体与蒸镀的原子结合成新的分子代替纯净的膜料分子/因此大多情况下对膜料时进行充氧使之氧化。
  氧化起到金属膜的电阻增加和导致反射性能的变化。在光学性能方面，如减反膜，氧气的氧化能力在反应方面得到应用。氧气不仅来自空气而且也可来自电子束轰击时水分子的分解，因此在蒸镀之前须尽可能低的真空度是很有必要的。要镀制高质量的膜层，蒸镀之前真空度应小于5X10的负6次方mbar，真空室内出现或释放出的水气是很难被抽走。这时真人室内一半以上残余气体是水气。它引起长时间抽真空。用冷阱或冷凝板可迅速从真空室内抽走水气。
冷凝板是一些金属薄片在它们上面有液氮冷却，从而表面温度约-160度从而使水分子冷凝。为了尽快从真空室壁或其它部件上把水气排走，要求真空室能过流在泠却水管里的热水加热。
  大家来共同讨论。

eagle1 · 发表于 2004-4-5 05:22:00

where are you get all the information? I think something you did not explain clearly!

zz · 发表于 2004-4-5 06:11:00

can you give us others info? Thanks

cjyzq · 发表于 2004-4-17 05:51:00

感谢！！！

jerrypeng8 · 发表于 2011-2-25 19:31:29

royyang · 发表于 2012-6-1 23:23:54

不太理解

copland · 发表于 2013-5-6 10:39:27

为了尽快从真空室壁或其它部件上把水气排走，要求真空室能过流在泠却水管里的热水加热。

冷却水里的热水？

laoxianccc · 发表于 2013-5-7 13:56:37

关于蒸发速率的问题

关于蒸发速率的问题

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