SI的镀膜方法！

jeh · 发表于 2003-8-14 01:38:00

那位了解SI的镀制方法？温度，真空度等条件？膜层的牢固度，环境实验性能等等！！

请谈谈！！

另外，那里有好用的 SI 膜料卖？

jeh · 发表于 2003-8-14 23:25:00

急需，谢谢！！

moonlight · 发表于 2003-8-15 18:25:00

si比ge难蒸，功率较大，-5真空量级蒸发。膜强度好。

jeh · 发表于 2003-8-20 18:32:00

下面引用由moonlight在 2003/08/15 10:25am 发表的内容：
si比ge难蒸，功率较大，-5真空量级蒸发。膜强度好。

你是指：电子枪蒸发，真空度-5Pa?

moonlight · 发表于 2003-8-20 22:04:00

没错

kent90 · 发表于 2003-8-23 02:35:00

moonlight可否谈谈如何在－5Pa蒸镀？蒸发速率多少，真空系统抽速多大？用什么设备？

moonlight · 发表于 2003-8-26 00:46:00

SI蒸发时会吸氧，真空度很快就会很高，速率3-5A，只要电子枪功率大就行。

Portia · 发表于 2003-8-27 00:24:00

这样Si不就被氧化了吗？如何镀制纯硅膜呢？

moonlight · 发表于 2003-8-27 21:23:00

不充氧，真空度很低不会氧化的。

moonlight · 发表于 2003-8-27 21:27:00

不充氧，真空度很高不会氧化。

Jesus · 发表于 2003-8-28 20:26:00

2.0x10-2Pa就可以蒸了吗？恐怕真空度太低了吧？那样会生成SiO2的。
我觉得真空度在4.0x10-4Pa以上为好，Si的透明波段为1.1um以上

moonlight · 发表于 2003-8-30 22:34:00

-4mba而不是-4pa.膜层要很厚才不透，包括金属膜。