MgF2工艺参数的调整

镀膜迷 · 发表于 2003-9-10 19:34:00

有哪位高手可以告之MgF2在发生喷溅时，是否调节电子束的整幅或是扫描频率可以控制它的喷溅，或是调整电子枪功率或预容时间

gb936 · 发表于 2003-9-11 05:15:00

减小功率并充分预熔。

brian · 发表于 2003-9-15 21:26:00

是的

littlefun · 发表于 2003-9-18 03:29:00

怎么我在镀MgF2的时候，没有完全熔化，就开始有沉积了？而且沉积速度还非常快，
大概在10－20埃之间。

Jesus · 发表于 2003-9-18 17:40:00

MgF2是完全融化蒸发的吗？我觉得和SiO2差不多，基本是升华的吧？

littlefun · 发表于 2003-9-18 21:03:00

但它是可以融的，不过等它融的时候，剩下的膜料就不多了，
好多都已经升华掉了。所以这个膜料到底该怎么个镀法啊？

xiao2000 · 发表于 2003-10-13 05:20:00

就我的蒸镀经验，MgF2都是升华的，我用的是热阻蒸发。

gaelicjzero · 发表于 2003-11-9 06:00:00

错错错
怎么是升华？
它有变成液态的过程，升华是直接从固态变成气态。物理的常识。

qaxx · 发表于 2003-11-25 02:58:00

你可以调整电子枪打点波形，来解决。

sauke · 发表于 2003-11-25 17:39:00

MgF2怎么会是升华呢？SiO2才是吧。

sofa88888 · 发表于 2003-12-1 03:21:00

我认为用钼舟还是最好的选择，先预溶一下更好些

xvchuan · 发表于 2003-12-1 04:41:00

使用光学级单晶mgf肯定是要融化的，如果原料不纯使用试剂级的确实见过不熔的情况