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发表于 2011-10-24 11:50:52
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一、H4膜料的特性
成分 钛镧混合物
外观 1-4mm的黑色颗粒
密度 5.9g/cm3
熔化温度 1800℃
沉积温度 2200-2300℃
沉积源 电子束
坩埚 铜或钼
氧气压力 0.8-2×10-4
沉积速率 0.2-0.8 nm/秒
基片温度 大约30-300 ℃
二、H4膜层的特性
基片温度 大约30℃ 300℃
500nm时的折射率 1.99 2.12
400 nm时的吸收 <2×10-4
吸收边缘 300nm
*吸收边缘是指在膜厚为270nm的膜层上,透光率为80%的波长。
三、折射率的散布
基片温度 散布公式
大约30 ℃ n=1.887+25410/波长2
100 ℃ n=1.982+29820/波长2
300 ℃ n=2.009+28880/波长2
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