铌酸锂晶体在光电技术中的应用

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公司目前主要设备有：
生长设备：中频感应加热单晶炉60台 ， 烧结、退火极化设备30台。
加工设备：HYPREZ 型号ENGIS双面研磨、抛光机4台，X62 830-1型号单面减薄抛光机15台，C62 640-2/YJ9B型号双抛机4台，QP301D型号切割机10台，线切割机一台，DISCO321型号划片机2台，自动粘片机2台，自动倒角机2台等
检测设备：居里温度测试仪，激光平面干涉仪，粗糙度检测仪，大功率激光器等
清洗设备：超声波清洗机1台

铌酸锂晶体在光电技术中的应用

铌酸锂晶体在光电技术中的应用

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铌酸锂晶体在光电技术中的应用

铌酸锂晶体在光电技术中的应用

压电级铌酸锂单晶

1. 晶体轴向: X Y Z, Y64, Y127.86, Y135

2. 轴向精度: ±0.2,晶体二端面抛光。

3 直径: 100.0±0.5 mm, 76.2±0.5 mm, 50.8 ±0.5mm

4. 长度: 40～100 mm。

5. 居里温度：1142±1C

6. 第一参考面定向精度: 小于±0.20。

7. 第一参考面长度: 32±2 mm (4〞),22±2 mm (3〞)

8. 第二参考面： 12±3 mm (4〞),10±3 mm (3〞)

9. 外观：无开裂、气泡及杂质

光学单晶铌酸锂光学单晶

1. 晶体轴向: X, Z

2. 轴向精度: ±0.20, 晶体二端面抛光。

3. 直径: 76.2±0.5 mm 100±0.5mm

4. 长度:40～80 mm。

5. 居里温度：1142±1C

6. 第一参考面定向精度: 小于±0.20。

7. 第一参考面长度: 22±2 mm(3〞)。 32±2 mm (4〞)

8. 第二参考面： 10±3 mm

9. 外观：无开裂、气泡及杂质。

10.晶体的光学特性：

（1）透光波段：370—5000nm

（2）折射率：（633nm）no=2.286 ne=2.200

（3）折射率梯度（633nm）≤5×10-5/cm

（4）光透过率（633nm）≥68%

（5）双折射率：△n= no - ne≈0.08

掺杂光学铌酸锂晶体

1. 材料： (1)掺铁铌酸锂晶体（0.1---1mol%）（FeN）

(2)掺镁铌酸锂晶体(5--6mol%) (MgN)

2.晶体轴向: X, Z 及各种规格

3.轴向精度: ±0.20, 晶体二端面抛光。

4.直径: 76.2±0.5 mm

5.长度: 40～80 mm。

6.第一参考面定向精度: ±0.20。

7.第一参考面长度: 22±2 mm。

8.第二参考面： 10±3 mm

9.外观：无开裂、气泡及杂质。

晶片

1.光学LN晶片的要求：

1晶片直径： Φ76.2±0.5mm Φ100±0.5mm
2晶片厚度：(1) 0.50±0.05mm (2) 1.0±0.05mm (3) 0.79±0.01mm

(4) 0.71±0.01mm (5) 0.66±0.01mm
3晶片弯曲度：≤ 10um
4晶片锥度：≤ 10um
5晶片轴向：要求的轴向±0.20
6基准边和方向要求：
(1)基准面——不超过 ±0.20
(2)基准长度： 22±2mm。
(3)第二基准长度： 10±3mm

7晶片表面抛光质量：
(1)晶片表面：晶片双面抛光10/5
(2)晶片倒角：保护性倒角。
8居里温度：1142±1C

2.晶片光学性能：

(1)透光波段：370—5000nm
(2)折射率：（633nm）no=2.286 ne=2.200
(3)折射率梯度（633nm）≤5×10-5/cm
(4)光透过率（633nm）≥68%
(5)双折射率：△n= no - ne≈0.08

3．不同方向晶片的规格：

1 X-cut
(1)轴向：X±0.20
(2)基准方向：Z轴
(3)第二基准： 沿Y轴顺时针方向转135度

2 Z-cut
(1)轴向：Z±0.20
(2)基准方向：X轴
(3)特殊规格按客户要求。

4. 包装：

(1)晶片经清洗后被包装在塑料盒内，每盒25片。内附产品合格证及产品检验报告。

压电级铌酸锂晶片
一般LN晶片的要求：

1晶片直径：(1)Φ76.2±0.5mm (2) Φ100.0±0.5mm
2晶片厚度：(1)0.50±0.05mm (2) 0.35±0.03mm
3晶片弯曲度≤ 40um
4晶片锥度≤ 20um
5晶片轴向：要求的轴向±0.20
6基准边和方向要求：
(1)基准面——不超过 ±0.20
(2)基准长度：(1)22±2mm (2)32±2mm
(3)第二基准长度：(1)10±3mm (2)12±3mm
7晶片表面抛光质量：
(1)晶片表面：镜面抛光10/5
(2)晶片背面：客户可自定粗糙度指标。
(3)晶片倒角：保护性倒角。
8晶片居里温度：1142±2C

2.不同方向晶片的规格：

36Y-cut
1轴向：36Y±0.20
2基准方向：X轴

3第二基准：无
42Y-cut
1轴向：42Y±0.20
2基准方向：X轴
3第二基准：沿第一基准顺时针方向转180度作第二基准。
X-112Ycut
1轴向：X轴±0.20
2基准方向：+112Y

3.包装:

晶片经清洗后被包装在塑料盒内，每盒25片. 内附产品合格证及产品检验报告

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1、LN楔角片

Specifications:

Aperture	1.0 x 1.0 mm2 to 4 x 4 mm2
Dimension tolerance	+/-0.05mm
Wedge Angle tolerance	+/-0.1o
Optical axis orientation	+/-0.5o
Flatness	l/4 @632.8 nm
Surface Quality	20-10
AR-coating	R0.2%

Standard Sizes	a) 1.25mmx1.25mmx0.25mm(top end) or 0.55mm(bottom end) b) 1.6mmx1.6mmx0.55mm
Cutting Angle	q=90o, f=22.5o
Wedge Angle	13o or 15o
Coating	Two apertures AR coated typically for ~1550nm
Quantities Available	50,000 to 70,000 per month

2、E-O开关

LiNbO₃ Q-Switch Elements

Standard Dimension	9x9x25 or 10x10x20mm3 (other dimension is also available upon request)
Dimension Tolerance	X Y-axis: ± 0.1mm ; Z-axis: ± 0.3mm
Wavefront Distortion	l/4 @633nm
Orientation Accuracy	X Y-axis: 10'; Z-axis: 5'
Flatness	l/8 @632.8nm
Parallelism	10"
Scratch/Dig Code	10/5 per MIL-O-13830A
Chamfer	0.5 mm at 45º ± 5º
AR-Coating	R 0.2% @ 1064 nm
Electrodes	Gold or Cr electrode on X-faces
Extinction Ratio	400:1 @ 633 nm for f 6mm beam)

3、LN optical modulation,(LN调制器)

Standard Dimension	1.5*1.5*30mm，4*2.5*60mm1.5*1.5*60mm
Dimension Tolerance	X Y-axis: ± 0.1mm ; Z-axis: ± 0.3mm
Wavefront Distortion	l/4 @633nm
Orientation Accuracy	X Y-axis: 10'; Z-axis: 5'
Flatness	l/8 @632.8nm
Parallelism	10"
Scratch/Dig Code	10/5 per MIL-O-13830A
Chamfer	0.5 mm at 45º ± 5º
AR-Coating	R 0.2% @ 1064 nm
Electrodes	Gold or Cr electrode on X-faces OR Z-face
Extinction Ratio	400:1 @ 633 nm for f 6mm beam)

4、LN光波导片

LiNbO3 Waveguide Substrates

Standard Dimension	1) 50x50x1 mm3 for X-cut, Y-cut, or Z-cut 2) f 3"x1 m m3 for Y-cut or Z-cut 3) Other dimension is available upon request.
Orientation Tolerance	10'
Surfaces Finish	One surface polished to better than l/2 (with mount) and free from surface defects when observed by a 50X microscope, the other face fine ground

铌酸锂晶体在光电技术中的应用

铌酸锂晶体在光电技术中的应用

flywithu2005

謝謝分享

lczhy00001

掺铁铌酸锂性能指标

晶体尺寸：Φ80-100*30-80

掺杂量：0.01mol% -0.15mol%,用户可定

最大折射率调制度：2.8*10^-5

灵敏度：14.6*10^-2cmJ^-1

动态范围4.2

写入时间：75s

擦除时间：540s

掺锌铁铌酸锂性能指标

晶体尺寸：Φ80-100*30-80

掺杂量：Zn6mol% Fe0.03mol%

最大折射率调制度：1.6*10^-5

灵敏度：14*10^-2cmJ^-1

动态范围0.7

写入时间：40s

擦除时间：55s

lczhy00001

铌酸锂晶体在光电技术中的应用

Justing

赞同，LN的应用大多华而不实，我们主要用它来做电光Q开关。

RTP性能比之更好，应用前景更广泛

xinkaifish

可用于产生光折变表面波和制作表面波导

lczhy00001

www.jsgd.net

jiangfeng

光学设计软件和光学资料http://blog.sina.com.cn/OpticDesign

dodo7776

楼主能否提供一下LN光电开关的资料？
我很需要。
想做LN光电开关

dodo7776

其实LN可以做光电开关，通过离子注入可改变半波电压