[讨论]帮忙分析一下Si被氧化的原因

vietti · 发表于 2004-5-27 18:33:00

镀Si材料，其折射率应为3.5左右，

Si外面镀了层Al2O3保护，大概几十到上百A左右

从镀完后结果看，可能Si被氧化了，折射率大概掉到2.4附近

请各位大大帮忙分析下产生氧化的原因是什么？

Si材料本身被氧化？或镀的Al2O3太薄未起到保护作用？

预熔时除气产生的氧应该不足以把Si氧化吧。

请各位谈谈镀Si需注意的一些要点吧！

isfm · 发表于 2004-5-28 01:06:00

真空度多少？

carlos · 发表于 2004-5-28 04:48:00

是什么镀膜方式

rmchen · 发表于 2004-5-28 06:06:00

你镀Al2O3时要充氧的吧？问题就在这儿了。

likeoe · 发表于 2004-5-28 09:55:00

在大气中，Si大概在400℃以上开始严重氧化。

vietti · 发表于 2004-5-28 17:49:00

并未充氧,温度为180度

真空度倒是不高，只有1~3*10-3Pa，

不清楚这个真空度会氧化吗？

likeoe · 发表于 2004-5-28 17:58:00

当然会氧化了！

vietti · 发表于 2004-5-28 22:47:00

那有啥办法解决吗？

yh15430 · 发表于 2004-5-29 05:33:00

若镀岀不久折射率就为2.4，那么是否应当考虑成膜时已是硅的化合物?因为镀上保护膜后氧化不会那么快。不成熟意见仅供参考。

likeoe · 发表于 2004-5-29 18:25:00

提高蒸速试试看。

zz · 发表于 2004-5-30 06:24:00

看来没多少人镀过SI。

1*10-3PA会氧化吗？？

不镀保护膜看看，并提高真空

vietti · 发表于 2004-5-31 16:58:00

设备所限，真空度上不去呀

从光控监控时看正在成膜时应该还没氧化

回复：（vietti）那有啥办法解决吗？