基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工

测试 · 发表于 2011-10-8 09:11:55

基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工.pdf (536.14 KB, 下载次数: 12)

本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工。通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、光刻胶（photo-resist,PR）等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底刻蚀或腐蚀,刻蚀或腐蚀完毕后去除该层掩膜。该工艺解决了MEMS工艺中的深坑涂胶和光刻问题,结合深反应离子刻蚀（Deep Re-active Ion Etching,DR IE）、湿法腐蚀等工艺可以用于多级台阶、深坑底部精细结构、微结构释放等MEMS工艺。

xj2010cg · 发表于 2012-5-3 21:08:27

zjj123zhang · 发表于 2012-7-10 17:22:37

guochengzheng · 发表于 2013-9-1 00:21:00

谢谢楼主分享

bartuc · 发表于 2016-1-31 19:12:59

谢谢分享，谢谢分享，谢谢分享

[技术] 基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工

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