收摊

wlsly

一楼有啊

wlsly

45楼说的还是有些道理，晶体生长可以考虑应届毕业生。

impuyzb

既然是新工艺和新晶体，还处于研发阶段，那应该对工作经验不是很看重的，有相关经验的人肯定很少了。那就要看重招聘对象的科研能力了，那楼主如何选择呢？

wlsly

以下是引用impuyzb在2006-6-8 13:33:00的发言：
既然是新工艺和新晶体，还处于研发阶段，那应该对工作经验不是很看重的，有相关经验的人肯定很少了。那就要看重招聘对象的科研能力了，那楼主如何选择呢？

工艺不同但很多东西还是相通的。我认为SIC晶体加工的经验还是很重要的，其加工与蓝宝石加工还是很相近的。至于生长对于经验的要求要低一些，但绝对不是有无经验一样，晶体生长其实是一个综合性的技术，不知您同意否？我们的步骤大致是首先看简历、通电话（北京以外）、面试，在这些过程中进行考察。至于能力的着重点难说，只能说综合考虑吧。

youfishno

以下是引用wlsly在2006-5-23 12:34:00的发言：

以下是引用youfishno在2006-5-22 18:29:00的发言：
如果贵公司有实力，肯花钱，建议到中国科学院半导体研究所看看，那人才有的是

是这样，我们跟半导体所有比较好的关系。谢谢！您能推荐吗？

请问，是要做材料？还是器件？

wlsly

作材料，SIC晶体生长与加工

youfishno

目前全世界只有美国Cree公司独家垄断从SiC单晶生长、晶片加工、外延片、芯片至SiC器件完整之量产技术，并已开发成功4英寸SiC单晶产品，2002年实现营收超过2亿美圆，占全球SiC市场90％以上。

近日，中科院物理所陈小龙研究员领导的科研小组在SiC晶体生长方面取得了重大进展。他们在自行研制的高温生长炉上，解决了物理气相传输法中生长SiC晶体的一些关键物理化学问题，成功地生长出了直径为2英寸的SiC晶体，其X-射线衍射摇摆曲线达到2弧分，微管密度已少于100个/平方厘米(10x10平方毫米样品)，这些表征SiC晶体质量的重要参数指标超过了目前Cree公司的部分商品的指标，为SiC单晶的国产化奠定了基础。

从实验室到产业化还需要下苦功夫，愿楼主好运！

wlsly

谢谢鼓励！！

youfishno

晶体生长

单晶生长是用籽晶——升华法在2000℃以上的温度下进行的。一般6H或4H SiC在面上生长，这种晶体沿〈0001〉晶向常有微管道，其数量在不断下降，目前直径2英寸的4H –SiC中微管道密度已低至1.1/cm2，但位错密度仍达103～104/ cm2。通过掺杂可以控制其n.p型电导。从低阻，10-3Ω.cm，到绝缘性（1015Ω.cm ）。直径100mm SiC单晶也已研制成功。高温CVD作为一种新方法用于生长单晶。在（1120）面上生长出了无微管道的晶体，且堆垛层错密度也低得多。利用台阶控制外延技术，在～1500℃温度下，在偏离6H—SiC的（0001）晶向生长出高质量同质外延层，这有力促进了各种SiC器件的研制。外延生长中所用源气为SiH4和C3H8，载气为H2，N2用于n型掺杂，三甲基铝（TMA）或B2H6用于P型掺杂，典型生长温度为1500～1600℃；生长面与一般Si、C面向[1120]晶向偏角3.5°（对6H-SiC）和8°（4H-SiC）；表面形貌和台阶聚集对器件研制至关重要。也使用过向其它晶向偏离的衬底。研究了源气中Si/C比对载流子浓度的影响。使用了各种反应器：水平热壁、垂直冷壁、垂直热壁、多片行星式、高温CVD和行星式热壁外延反应器等。在CVD开始前利用Si碳化可生长大面积异质外延3C- SiC，已在波纹式Si衬底上生长出直径150 mm的3C-SiC外延材料。

wtt8005wtt803

厉害!楼上几位都是高人!不知道长过YVO4的人要不?

wlsly

yvo4的也可以。

cardinal_km

做不做锗单晶？