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发表于 2009-2-7 18:07:17
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本帖最后由 ntschina 于 2009-2-11 17:30 编辑
根大家虚心探讨，关于翘曲问题的产生问题。希望多多了解相关知识。
俺MSN：nts_service@hotmail.com
一般Warp 和Bow 现象的产生原因如下
1. Sapphire Substrate 基片的加工过程中有一个工序叫做 滚边 或 圆边的过程（Edge Profiling 这个叫倒边 是于兄 在后面的跟帖中给我指正了。）这个工序的安排的主要原因是因避免蓝宝石基片 因自身内部的机械应力产生翘曲现象而必须的一个工序。（后于兄指正在蓝宝石衬底片中因其厚度问题和加工工艺问题，这个问题完全可以忽略。但我所考虑的是最终产品 如LED 芯片过程中的翘曲问题，后来一想这个问题，完全可以忽略不计，因为本身机械式双端面研磨，其应力作用在同一介质的应力作用下不会产生翘曲， 哈哈，在这里再次感谢于兄。 ）
2. 然后就是我们很关注的一个晶磊过程中，目前还没有找确切的解决方法，但可以用技术调整使其翘曲程度低于0.8mm（这个数字是在后道减薄工序中减薄到75~80um的情况下显现出来的翘曲现象，毕竟蓝宝石衬底最终服务于LED或者 其他半导体芯片中，关于这个问题 于兄也给我指正了，我没有说明白，在这里向水友道歉） 这个产生的主要原因是因在mocvd 晶磊过程中 因在不同介质之间的晶微粒排列问题和其具有不同应力而产生的不可避免的应力集中问题。此类问题将可以在 减薄过程中得以证实，如果单面减薄的越薄，其翘曲程度越是厉害，因为相对于另一种介质的层的应力相对越大，因此其翘曲程度将大量释放从而翘曲更加严重。 这个问题难解决啊。
3. 就是在减薄和研磨过程中的补偿方法了，如现阶段我们进行过试验，如果减薄过程中背面加工中产生的划痕越少，翘曲现象就减少，如果减薄的量越多，芯片厚度越薄，其翘曲越严重。研磨抛光时间也有一点关系，但我还不了解知所以然。 所以在这里虚心根各位前辈讨教讨教。
对于翘曲问题说法很多， 如 GaAs和 Sapphire 就是两种完全不一样的物理性质。 前者比后者产生翘曲的几率远远高于后者。 翘曲问题正如于兄说的，非简单的一个设备问题。 我同意他的看法， 在这里我再次向广大水友道歉，并希望我们中国赶快领先美国，日本，韩国。
在这里献丑了，望理解错误的地方， 各位高手多多指教。 |
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