我用MOCVD 生长了InP/InGaAsP/InP BH结构，然后用LPE方法在上面生长一InGaAsP层作为顶层以合金之用。然后大面积Zn扩散，清洗后在上面镀一层SiO2 膜，再进行光刻，刻蚀一斜沟，偏离角度大约为5度，深度只是去掉SiO2 。最后做电极合金。结果解理后测管芯功率显示3uW ，无光。测试电流为20mA。 请问为什么？ 谢谢。
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上帝说: 要有光,于是便有了光.
_____创世纪
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发表于 2007-5-22 06:09:00
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