AR膜求助+资料分享

niechunyang · 发表于 2007-10-14 14:54:13

我们做产品：基片N=1.46 单面反射要求：R《0.25% 我们用膜料 AL2O3 H4 MGF2 我们想用TA2O5代替H4，没有用离子源，氧气到了300SCCM还是基片有发黄，不知道是怎么回事，请教师傅门，谢谢了

lebmy · 发表于 2007-10-15 00:10:34

hao dongdong

john03062003 · 发表于 2007-10-15 10:36:28

镀后处理挺重要，否则Ta2O5的吸收就特别大，建议镀后退火

jhxxmlhk · 发表于 2007-10-15 10:51:24

靠!哪那么麻烦啊!有离子源什么都OK!还有不知道你用什么镀膜机,300sccm的充氧量吓死人啊!!!

susan01 · 发表于 2007-10-15 12:47:15

为什么要用Ta2O5代替H4呢

jhxxmlhk · 发表于 2007-10-15 14:34:14

原帖由 susan01 于 2007-10-15 12:47 发表
为什么要用Ta2O5代替H4呢

Ta2O5比H4价格便宜啊!

flytiger8 · 发表于 2007-12-14 21:36:07

楼上正解

木子李 · 发表于 2008-1-11 19:13:15

什么是退火，能否解释一下，谢谢！！！

fasces9 · 发表于 2011-7-30 15:46:24

氧气充氧过高

meilirensheng · 发表于 2011-8-2 14:04:10

收藏~~！

HGcoating · 发表于 2011-8-2 14:30:43

波长都没有。。。。不知怎么跟你说

jiayuch · 发表于 2011-8-3 08:06:41

不知多大的机器啊？要用300sccm这么多？

??