烘烤对晶控的干扰问题

ferry · 发表于 2009-4-29 22:48:21

现有一国产1100机器，行星架结构，故厂家把烘烤设为下烘烤式，溴（碘）钨灯加热方式。
现在发现一很大问题，当烘烤灯工作，调功器工作时，对晶控影响很大，表现在速率方面就是沉积速率不稳定，上下波动挺大，整个速率曲线似正弦曲线一样。
如停掉烘烤，则沉积速率变的很稳定。
此问题已经困扰一个多月，厂家好像也是束手无策了。（加滤波器，好像还起了反作用）
不知大家有没有遇到相似情形，又是如何解决的
时间太久了还不见好，实在心急，还请各位出手相救啊。

jinfeng · 发表于 2009-4-29 22:52:34

我们的也有这个问题,但并不严重

wazxq · 发表于 2009-4-30 08:34:47

上下烘烤方式都有这个问题，晶振本身要改进。

现在的晶振越来越被垄断，后市可能很少改动了

jhxxmlhk · 发表于 2009-4-30 09:55:10

我用的是Hanil 1200的，配置和你说的一样，但是速率很稳定啊，呵呵
要么是国产机器烂，要么是你没使用好。

夏宾 · 发表于 2009-4-30 09:58:12

大家不必恐慌,晶振片质量要保证.我是专业生产晶振片厂家.金银合金都有.电话:15068338776 夏经理

ferry · 发表于 2009-4-30 16:22:13

我用的是Hanil 1200的，配置和你说的一样，但是速率很稳定啊，呵呵
要么是国产机器烂，要么是你没使用好。
jhxxmlhk 发表于 2009-4-30 09:55

问下这位朋友，360的PID要求高吗，通过调节PID能否改善之？
按360使用上和前期用的结果看，PID好像影响达不到这么大
不知各位还有其他见解没有？

zlj6694 · 发表于 2009-5-7 00:26:12

我用的配置和你说的一样，用的也是360，速率也很稳定，通过调节PID确实能改善。

:)

苏州膜头 · 发表于 2009-5-8 17:29:54

1# ferry

晶控片用好的30元的与10元相差很多
加大烘烤功率，调整烘烤调功器pid，降低烘烤温度。行星盘太大了周期性影响晶控片。烘烤灯位置也会周期性影响晶控片。

holdout@163 · 发表于 2009-5-11 11:56:08

来学习学习,呵呵

zzzz · 发表于 2009-5-13 09:18:32

晶振受温度影响了...............................

milantree · 发表于 2009-5-13 09:32:11

你是用晶控系统控制膜层的厚度的吗？晶振片受温度的影响，速率会改变的。晶控系统你主要的配置是什么，你是用MDC360C膜厚控制仪吗？

ferry · 发表于 2009-5-13 17:39:44

你是用晶控系统控制膜层的厚度的吗？晶振片受温度的影响，速率会改变的。晶控系统你主要的配置是什么，你是用MDC360C膜厚控制仪吗？
milantree 发表于 2009-5-13 09:32

晶控是用来控制膜厚，MDC360C，双探头结构（sensor1和sensor2）。控制左右电子枪和阻蒸发源（soure1，2，和6）。
烘烤的PID都进行过调整，但只要电压变化在超过10V以上时，就会对晶控产生干扰（电子枪和离子源发热，烘烤电压会停止，但镀制过程中，温度达不到设定值后，又会开启，此时便开始干扰晶控）

烘烤对晶控的干扰问题

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