qhbd 发表于 2004-5-28 19:42:00

耐压>0.2v/nm的薄膜制作

一般的耐压介质材料氧化钽、氧化铝等，但怎么做才能作出耐压性能优良的薄膜呢，请各位专家赐教。

likeoe 发表于 2004-5-29 18:28:00

<P>镀多厚，用什么方法？</P><P>击穿与材料本身的介电特性相关，也与杂质有关。</P>

qhbd 发表于 2004-5-30 02:14:00

膜厚大约在6000埃左右，采用金属+介质+金属（MIM）结构检测

likeoe 发表于 2004-5-30 12:27:00

<P>用电子枪蒸发还是溅射？是不是在一个真空室完成三层膜？我在考虑中间的介质层是不是受污染了，或者杂质浓度很高，或者其他缺陷严重。</P>
页: [1]
查看完整版本: 耐压>0.2v/nm的薄膜制作