电子枪镀膜电流大小与速率大小的配合
各位大哥，请进来帮帮忙解释下：我目前为止用过三种机器，日本昭和，韩国PTK，国产南光，就电子枪的电流大小和对应的速率大小有很强的好奇心。在用昭和和韩国PTK时，电流都加到了240左右，但是TIO2的速率也才1A/S左右，SIO2也才3左右，但是在我用南光机器时电流才100左右，SIO2速率7，H4速率4，而MGF2在电流只有30左右，速率就达到了8。另外，高压都是7KV左右，为什么差别这么大呢，很好奇啊。自己也试着想过一下原因：光斑大小，材料熔点等，但是也不会相差这么大吧。尤其是昭和和韩国PTK，电流那么大了，速率也上去不到，不知为什么，请大家给个方向，谢谢了 不知道你是不是用晶控的，速率在晶控上有设定限制的，和电子枪电流没有直接关系的 cxm05371 发表于 2011-9-15 19:13 static/image/common/back.gif不知道你是不是用晶控的，速率在晶控上有设定限制的，和电子枪电流没有直接关系的
如果我是手动的呢 {:6_143:} {:6_157:}只用过南光，不知道。是否与离子源有关？ Jimmy_tang 发表于 2011-9-16 09:52 static/image/common/back.gif
只用过南光，不知道。是否与离子源有关？
嗯，这倒是个方向，有可能 你用的机器不一样，枪就不一样。枪不一样，它可以拉的功率就不一样，自然就会出现你说的问题了，另外，离子源，冲氧都会产生这种问题。。。 {:6_143:}嗯，同意楼上说的。我想了想，差6、7倍的速度呢，不能全跑墙壁上去了啊。枪的能力应该还是有不少差别的。 跟膜层监控有关系的，貌似和电子枪的电流关系不大
1、膜层监控的速率设定
2、晶控或光控的准确度
3、膜料的熔点
4、强磁干扰
以上均属个人见解 你有没有研究过坩埚的水冷效果？？？？
这个也是很重要的说 晶控还是光控 yibi11 发表于 2011-9-16 12:45 static/image/common/back.gif
你用的机器不一样，枪就不一样。枪不一样，它可以拉的功率就不一样，自然就会出现你说的问题了，另外，离子 ...
我之前用的韩国PTK机器，和韩一差不多的，是个组装机，采用的是半自动，电流是自己加的，TIO2电流加到了248左右，速率也才1A/S，SIO2电流加到了90，速率是3A/S。霍尔离子源只是镀前开几分钟清洁，镀膜过程不开，电子枪也是焦耳的，不知道为什么，机器是1350的。现在是南光800，电流只需100，高折射速率就达到5；低折射电流只需40，速率就达到7，不解？