dwzgy 发表于 2007-5-19 07:42:00

[求助]IR点子问题求助

<p>最近做IR</p><p>出现大面积均匀分布细小亮点</p><p>请教各位出现原因及解决办法。</p><p></p><p>个人分析可能如下：</p><p>因为亮点出现为“大面积均匀分布细小亮点”，而且研磨后清洗片很干净，所以亮点应该为镀膜所造成</p><p>1 真空室不够干净</p><p> 这几天真空清扫机出故障，仅靠吸尘器打扫，内部可能有粉尘残留（可以拿无尘布IPA擦洗真空室后实验）</p><p>2 SiO2</p><p> （a) SiO2的沉积速率太快：25A/s; 更改为15A/s（有更加合理的建议吗？）</p><p> (b) SiO2的喷溅，观察发现更换坩埚时，即 使用新SiO2时开始有喷溅现象（rise , soak time), 难免镀膜开始后也有喷溅；解决办法：重新设置rise , soak time，soak power，但是这个目前小弟没有什么设置依据及资料，求指点，求资料！</p><p> SiO2预熔：预熔到什么程度算好？</p><p></p><p>以上仅为个人分析，其实可以做线分析直接测定点子成分，但是公司不愿意出钱！</p><p>求各位达人指点迷津，感激不尽！</p><p>请指教是否有疏漏之处，及其解决办法。</p><p>谁有这方面的资料，如方便，请E-mail：<a href="mailto:dwzgy@163.com">dwzgy@163.com</a></p><p>本人还很年轻，经验欠缺，海涵！</p><p></p><p></p>

mataty 发表于 2007-5-19 19:20:00

这个我们没有做过，帮不了你。

dwzgy 发表于 2007-5-21 07:05:00

大家有什么好的意见指导一下啊

huang12949 发表于 2007-5-21 17:29:00

我认为楼主已经分析的很好了.按照你分析的得出试验结果就是了.

dwzgy 发表于 2007-5-23 05:56:00

5-10um的有解决经验吗？

zzzz 发表于 2007-5-25 22:41:00

<p>清洁设备</p><p>SIO2蒸发速率再减低点</p><p>也要考虑H料的喷</p><p>.....</p><p>....</p><p>...</p>

dwzgy 发表于 2007-5-26 05:52:00

<p>楼上指点极是</p><p>H料的"喷"一般是形成黑点</p><p>作为IR Filter我们公司是直接NG掉了的</p><p>现在在加强预熔</p><p>但是似乎单靠预熔不足以解决</p><p>有什么解决"喷"的良策吗?</p><p>个人觉得"rise time/soak time/soak power"等参数也有一定的影响,不知有何高见?敬请指导!</p><p>如能说出个中原因最好</p>

spy1979 发表于 2007-5-29 21:53:21

似乎是膜料飞溅点，如果您的晶测可以设定几个不同的蒸发速率，建议设定两个蒸发速率，其中，前一个速率低一些，后一个可以高一些。此外，希望增加预蒸时间。飞溅，一般是由于膜料表面有杂质，在soak后，热量不能够均匀的分布造成的，这个原理和在热油表面倒水差不多。

dzk999 发表于 2007-7-8 13:44:27

肯定是喷药了。
1. 将蒸发速率降至6A/s，我公司一般就这个速率。
2.预熔电子束光斑面积为85%左右，预熔后段功率应设置为相应蒸发速率相近的功率大小。
3.可以考虑使用硅环（块状SiO2，形状与坩埚吻合）。
4.改参数使得白点外观不明显（使得原先的白点实际存在，但看不出。有工艺可以做到这个，不过穿透率要下降1%左右）。

hsliu8358 发表于 2007-7-8 19:21:22

国际难题,帮不了你了!

tfc 发表于 2007-7-9 10:22:37

原因很多,要真正找到原因,楼主的信息还不大够。但是既然是过去没问题，最近才有，你还是认真分析最近所有的改变吧。IR-CUT层数不是太多，可以改善的。

dwzgy 发表于 2007-7-10 12:12:48

国内有做MEGA的吗？
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