xiaoduan259 发表于 2007-5-22 05:43:00

求助：为什么不发光呢？

<p>我用MOCVD 生长了InP/InGaAsP/InP BH结构，然后用LPE方法在上面生长一InGaAsP层作为顶层以合金之用。然后大面积Zn扩散，清洗后在上面镀一层SiO<sub>2</sub> 膜，再进行光刻，刻蚀一斜沟，偏离角度大约为5度，深度只是去掉SiO<sub>2 。</sub>最后做电极合金。结果解理后测管芯功率显示3uW ，无光。测试电流为20mA。 请问为什么？ 谢谢。</p>

hx0999 发表于 2007-6-1 18:04:45

不是这行的，我也不知道：（

mopa 发表于 2007-6-1 21:47:46

做LED？

超辐射？
X射线双晶、PL、CV结果如何？

xiaoduan259 发表于 2007-6-5 23:38:09

目的是做超辐射的，这个是前期实验，主要是想先测试一下现有组份的波长，偏振消光比等参数。氧化物条形做LED 应该是没有问题的。测试电流100mA，250mA 都测过，输出功率没有什么变化。后来我用双沟掩埋来限制，输出功率比原来大点点，但是I-V 特性不正常，pn结拐点不正常。
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